Category: техника

Category was added automatically. Read all entries about "техника".

из сотни волоконных органических электрохимических полевых транзисторов сплели

нейроморфную сеть и успешно проверили на стандартном нейросетевом распознавании речи. Подзатворным диэлектриком транзистора служил ион-проводящий гель. Soo Jin Kim et al, Dendritic Network Implementable Organic Neurofiber Transistors with Enhanced Memory Cyclic Endurance for Spatiotemporal Iterative Learning, Advanced Materials (2021)
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202100475

первые комплементарные транзисторы из нитрида галлия в интегральном исполнении, хотя

пока не добрались и до мегагерц, зато мощные и работают хоть в кипящей воде. Zheyang Zheng et al, Gallium nitride-based complementary logic integrated circuits. Nature Electronics (2021)
https://www.nature.com/articles/s41928-021-00611-y

дешевые и нетоксичные светодиоды из растворов –коллоидные квантовые точки,

органические полупроводники и галогениды металлов со структурой перовскита. Aobo Ren et al, Emerging light-emitting diodes for next-generation data communications, Nature Electronics (2021)
https://www.nature.com/articles/s41928-021-00624-7

Загадки первого транзистора. Загадка #3 (о больцмановском распределении).

Почему в больцмановской вероятности exp(–(E/2)/kT) перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости полупроводника стоит не вся ширина Е запрещенной зоны, а только ее половина E/2?

Наноэлектроника №015. Au-наночастицы в полимере. Фазовый переход металл – неметалл

Сегодня узнаем о проекте применения Au-наночастиц для полимерной ячейки памяти и об удивительном фазовом переходе металлической частицы в полупроводниковое состояние при ее уменьшении до нанометровых размеров. У металлической наночастицы появляется свойство, которое раньше мы считали типично полупроводниковым – запрещенная зона (о запрещенных зонах см. ФОМН). И наоборот, возможен фазовый переход от неметаллических свойств к металлическим на примере Si и Ge – типичных полупроводников.
Collapse )

Наноэлектроника №014. Механические свойства С- нанотрубок. Кулоновская блокада

Сегодня познакомимся с механическими свойствами нанотрубок на примере измерения эффективного модуля упругости одной единственной многослойной нанотрубки и перейдем к изучению свойств 0D- наноструктур, т.е. наночастиц. Начнем с объяснения и обнаружения эффекта кулоновской блокады – основного принципа действия всех наноэлектронных приборов вроде одноэлектронного транзистора, где металлическая наночастица служит затвором.
Collapse )

Наноэлектроника №012. Эмиссионные и шумовые свойства С- нанотрубок

Сегодня познакомимся с эмиссией электронов с торцов нанотрубок и с характеристиками шумового тока вдоль нанотрубок. Эмиссионные свойства важны, например, для проектов «плазменных» мониторов со сверхмалыми пикселями, а шумовые свойства ограничивают динамический диапазон любых наноэлектронных приборов на основе нанотрубок вроде полевых транзисторов.
Collapse )

Наноэлектроника №011. Квант проводимости и полевые транзисторы на С- нанотрубках

Сегодня узнаем, что такое «квантование проводимости» и как убедились в существовании этого эффекта в нанотрубках с помощью сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) (наглядную модель его объяснения см. в ФОМН). Далее познакомимся с двумя проектами полевых транзисторов с каналом в виде нанотрубки, причем в одном из транзисторов с помощью затвора управляли типом носителей заряда в канале (электроны или дырки).
Collapse )

Наноэлектроника №007. ZnO нанонити для транзисторов и InGaAs нанонити для лазеров

Сегодня на примере нанонитей из оксида цинка (ZnO) завершим знакомство с их применением для транзисторов и перейдем от электрических свойств нанонитей к оптическим. Начнем с применения индий галлий арсеникум (InGaAs) нанонитей для лазеров.
Collapse )

Наноэлектроника №006. Si, InAs и Ga2O3- нанонити для разнообразных транзисторов

Сегодня познакомимся с проектами транзисторов, где главную роль играют нанонити из кремния (Si), арсенида индия (InAs) и оксида галлия (Ga2O3). В последнем случае увидим, что в наноэлектронике, как и в микроэлектронике, электроны – не единственные полезные носители заряда
Collapse )